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Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Samsung

Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SSD NVMe 4 To en 7250 Mo/s lecture et 6300 Mo/s écriture

Référence constructeur MZ-V9S4T0BW

91 /100 Sa meilleure note : la plus grande capacité, jugé « très grande » sur l’échelle de sa catégorie.
1 061,28 €
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Ce que vaut le Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Le Samsung MZ-V9S4T0 est un SSD interne au format M.2 2280, d’une capacité de 4 To, utilisant une mémoire V-NAND TLC et une interface PCI Express 4.0 compatible NVMe 2.0.

Ses mesures indiquent une vitesse de lecture de 7250 Mo/s et d’écriture de 6300 Mo/s, avec 1050000 IOPS en lecture aléatoire et 1400000 IOPS en écriture aléatoire. Le temps moyen entre pannes est de 1500000 heures. Le disque intègre un chiffrement matériel 256-bit AES ainsi que les supports S.M.A.R.T. et TRIM.

Sa consommation électrique varie de 0,06 W au repos à 5,5 W en lecture, avec un mode veille DevSlp à 5 mW, pour un poids de 9 g.

Ce SSD convient à un usage en PC nécessitant une grande capacité de stockage et des débits élevés en lecture comme en écriture.

Ce que dit la fiche technique

  • 4 To M.2 PCI Express 4.0
  • Vitesse de lecture: 7250 Mo/s 1050000 IOPS
  • Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s 1400000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Le chiffrement matériel 256-bit AES
  • Support S.M.A.R.T. Support TRIM
  • composant pour: PC

Ses notes, critère par critère

Notes sur 100, calculées à partir de la fiche technique et comparées au marché. La méthode complète est publique.

Capacité Très grande

4 000 GB · médiane de la catégorie : 1 000 GB

L’historique du prix

15 jours de relevés depuis le 2 octobre 2026.

Le plus bas relevé
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Documents

Ce que le fabricant publie sur ce modèle. Chaque document s’ouvre dans un nouvel onglet.

Brochure Samsung MZ-V9S4T0BW PDF 130,4 KB

Caractéristiques

Caractéristiques 18
Capacité du Solid State Drive (SSD) 4 To
Facteur de forme SSD M.2
Interface PCI Express 4.0
NVMe Oui
Type de mémoire V-NAND TLC
composant pour PC
Le chiffrement matériel Oui
Version NVMe 2.0
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture 7250 Mo/s
Vitesse d'écriture 6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB) 1050000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 1400000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Puissance 5
Tension de fonctionnement 3,3 V
Consommation électrique (Lecture) 5,5 W
Consommation électrique (Ecriture) 4,8 W
Consommation électrique (idle) 0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille) 5 mW
Poids et dimensions 4
Largeur 80,2 mm
Profondeur 2,38 mm
Hauteur 80,2 mm
Poids 9 g
Informations sur l'emballage 1
Poids du paquet 70 g

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Questions fréquentes

Les réponses tirées de la fiche technique de ce modèle.

Oui, ce SSD M.2 au format 2280 (22 x 80 mm) utilise une interface PCI Express 4.0 en NVMe 2.0 et est un composant pour PC.

Oui, il intègre un chiffrement matériel avec l’algorithme 256-bit AES.

Le temps moyen entre pannes est de 1 500 000 heures. Il prend aussi en charge S.M.A.R.T. et TRIM pour le suivi et l’entretien du disque.

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