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Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB
Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB

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Samsung

Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB

SSD PCIe 5.0, lecture 14700 Mo/s et écriture 13300 Mo/s

Référence constructeur MZ-VAP1T0BW

70 /100 Sa meilleure note : la plus grande capacité, jugé « correcte » sur l’échelle de sa catégorie.
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Ce que vaut le Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB

Le Samsung 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD 1 To est un SSD interne au format M.2 2280, doté d’une mémoire V-NAND TLC et compatible NVMe 2.0. Il s’installe comme composant de stockage pour PC ou console de jeux.

Ses mesures affichent une vitesse de lecture de 14700 Mo/s et d’écriture de 13300 Mo/s, avec 1850000 IOPS en lecture aléatoire et 2600000 IOPS en écriture aléatoire sur une interface PCI Express 5.0 en x4. Le temps moyen entre pannes est évalué à 1500000 heures, et le chiffrement matériel 256-bit AES ainsi que les supports S.M.A.R.T. et TRIM sont intégrés.

La consommation électrique se situe à 7,6 W en lecture et 7,2 W en écriture, avec un mode veille DevSlp à 3,3 mW et une consommation en idle de 0,004 W. Le produit est garanti 5 années.

Ce SSD s’adresse aux configurations PC ou console recherchant des débits élevés en lecture et écriture, avec une capacité de 1 To et un facteur de forme compact adapté aux cartes mères récentes équipées de PCIe 5.0.

Ce que dit la fiche technique

  • 1 To M.2 PCI Express 5.0
  • Vitesse de lecture: 14700 Mo/s 1850000 IOPS
  • Vitesse d'écriture: 13300 Mo/s 2600000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Le chiffrement matériel 256-bit AES
  • Support S.M.A.R.T. Support TRIM
  • composant pour: PC/Console de jeux

Ses notes, critère par critère

Notes sur 100, calculées à partir de la fiche technique et comparées au marché. La méthode complète est publique.

Capacité Correcte

1 000 GB · médiane de la catégorie : 1 000 GB

L’historique du prix

12 jours de relevés depuis le 2 octobre 2026.

Le plus bas relevé
281,63 €
Le plus haut relevé
353,37 €
Dernier relevé
353,37 €

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Documents

Ce que le fabricant publie sur ce modèle. Chaque document s’ouvre dans un nouvel onglet.

Brochure Samsung MZ-VAP1T0BW PDF 132,0 KB

Caractéristiques

Caractéristiques 19
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Facteur de forme SSD M.2
Interface PCI Express 5.0
NVMe Oui
Type de mémoire V-NAND TLC
composant pour PC/Console de jeux
Le chiffrement matériel Oui
Version NVMe 2.0
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture 14700 Mo/s
Vitesse d'écriture 13300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB) 1850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 2600000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Express x4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Puissance 7
Tension de fonctionnement 3,3 V
Consommation électrique (Lecture) 7,6 W
Consommation électrique (Ecriture) 7,2 W
Consommation électrique moyenne (lecture) 7,6 W
Consommation électrique moyenne (écriture) 7,2 W
Consommation électrique (idle) 0,004 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille) 3,3 mW
Poids et dimensions 4
Largeur 80,2 mm
Profondeur 2,38 mm
Hauteur 80,2 mm
Poids 9 g
Autres caractéristiques 1
Période de garantie 5 année(s)

À qui convient ce modèle

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Questions fréquentes

Les réponses tirées de la fiche technique de ce modèle.

Oui, ce SSD M.2 au format 2280 (22 x 80 mm) est conçu comme composant pour PC ou console de jeux.

Le produit est couvert par une garantie de 5 ans et affiche un temps moyen entre pannes de 1 500 000 heures.

Oui, ce SSD utilise l’interface PCI Express 5.0 en x4 pour atteindre ses vitesses de 14700 Mo/s en lecture et 13300 Mo/s en écriture.

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