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Samsung

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SSD NVMe 1000 Go, lecture 7150 Mo/s et 1500000 h de fiabilité annoncée

Référence constructeur MZ-V9S1T0BW

70 /100 Sa meilleure note : la plus grande capacité, jugé « correcte » sur l’échelle de sa catégorie.
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Ce que vaut le Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Le Samsung MZ-V9S1T0 est un SSD interne NVMe au format M.2 2280, doté d’une capacité de 1000 Go et de 256 canaux de mémoire, avec une interface fonctionnant en 2 voies.

Ses débits mesurés atteignent 7150 Mo/s en lecture et 6300 Mo/s en écriture, pour des performances aléatoires de 850000 IOPS en lecture et 1350000 IOPS en écriture. Sa fiabilité est annoncée à 1500000 heures, avec une consommation mesurée entre 0.06 W et 4.3 W selon les phases d’activité. Il mesure 80.15 mm de longueur pour 2.38 mm d’épaisseur et pèse 9 g, dans un boîtier total de 68 g.

Ces caractéristiques s’adressent à un usage exigeant en débit et en endurance : montage vidéo, traitement de données volumineuses ou stations de travail nécessitant un stockage rapide et compact.

Kalyneo compare pour ce modèle les offres de plusieurs marchands et suit l’évolution de son prix dans le temps.

Ce que dit la fiche technique

  • 1 To M.2 PCI Express 4.0
  • Vitesse de lecture: 7150 Mo/s 850000 IOPS
  • Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s 1350000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Le chiffrement matériel 256-bit AES
  • Support S.M.A.R.T. Support TRIM
  • composant pour: PC

Ses notes, critère par critère

Notes sur 100, calculées à partir de la fiche technique et comparées au marché. La méthode complète est publique.

Capacité Correcte

1 000 GB · médiane de la catégorie : 1 000 GB

L’historique du prix

8 jours de relevés depuis le 13 octobre 2026.

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Documents

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Caractéristiques

Caractéristiques 18
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Facteur de forme SSD M.2
Interface PCI Express 4.0
NVMe Oui
Type de mémoire V-NAND TLC
composant pour PC
Le chiffrement matériel Oui
Version NVMe 2.0
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture 7150 Mo/s
Vitesse d'écriture 6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB) 850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 1350000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Puissance 7
Tension de fonctionnement 3,3 V
Consommation électrique (Lecture) 4,3 W
Consommation électrique (Ecriture) 4,2 W
Consommation électrique moyenne (lecture) 4,3 W
Consommation électrique moyenne (écriture) 4,2 W
Consommation électrique (idle) 0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille) 5 mW
Poids et dimensions 4
Largeur 80,2 mm
Profondeur 2,38 mm
Hauteur 80,2 mm
Poids 9 g
Informations sur l'emballage 1
Poids du paquet 68 g

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Questions fréquentes

Les réponses tirées de la fiche technique de ce modèle.

Ce SSD NVMe offre une capacité de 1000 Go, au format M.2 2280.

La vitesse de lecture atteint 7150 Mo/s et celle d’écriture 6300 Mo/s, avec 850000 IOPS en lecture et 1350000 IOPS en écriture.

Le fabricant annonce une fiabilité de 1500000 heures (MTBF).

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