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Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Samsung

Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SSD NVMe 4 To con 7250 Mo/s en lectura y 6300 Mo/s en escritura

Referencia del fabricante MZ-V9S4T0BW

91 /100 Su mejor nota: la mayor capacidad, juzgado «muy grande» en la escala de su categoría.

Por ahora, ninguna oferta en stock en el mercado ES.

Lo que vale el Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

El Samsung MZ-V9S4T0 es un SSD interno en formato M.2 2280, con una capacidad de 4 To, que utiliza memoria V-NAND TLC y una interfaz PCI Express 4.0 compatible con NVMe 2.0.

Las mediciones indican una velocidad de lectura de 7250 Mo/s y de escritura de 6300 Mo/s, con 1050000 IOPS en lectura aleatoria y 1400000 IOPS en escritura aleatoria. El tiempo medio entre fallos es de 1500000 horas. La unidad incluye cifrado por hardware 256-bit AES junto con soporte S.M.A.R.T. y TRIM.

El consumo eléctrico va de 0,06 W en reposo a 5,5 W en lectura, con un modo de suspensión DevSlp de 5 mW, para un peso de 9 g.

Este SSD es adecuado para equipos PC que requieren gran capacidad de almacenamiento junto con altas velocidades de lectura y escritura.

Lo que dice la ficha técnica

  • 4 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Velocidad de lectura: 7250 MB/s 1050000 IOPS
  • Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1400000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: PC

Sus notas, criterio por criterio

Notas sobre 100, calculadas a partir de la ficha técnica y comparadas con el mercado. El método completo es público.

Capacidad Muy grande

4.000 GB · mediana de la categoría: 1.000 GB

El historial del precio

9 días de registros desde el 2 de octubre de 2026.

El más bajo registrado
449,90 €
El más alto registrado
542,26 €
Último registro
542,26 €

Registros realizados por Kalyneo en los comercios que seguimos, en el mercado consultado. Ningún precio se introduce a mano.

Documentos

Lo que el fabricante publica sobre este modelo. Cada documento se abre en una pestaña nueva.

Brochure Samsung MZ-V9S4T0BW PDF 130,4 KB Documento en Français

Características

Características 18
SDD, capacidad 4 TB
Factor de forma de disco SSD M.2
Interfaz PCI Express 4.0
NVMe Si
Tipo de memoria V-NAND TLC
Componente para PC
Encriptación de hardware Si
Versión NVMe 2.0
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura 7250 MB/s
Velocidad de escritura 6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB) 1050000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 1400000 IOPS
Función DevSleep Si
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Control de energía 5
Voltaje de operación 3,3 V
Consumo de energía (lectura) 5,5 W
Consumo de energía (escritura) 4,8 W
Consumo de energía (espera) 0,06 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW
Peso y dimensiones 4
Ancho 80,2 mm
Profundidad 2,38 mm
Altura 80,2 mm
Peso 9 g
Empaquetado 1
Peso del paquete 70 g

A quién le conviene este modelo

Es para usted si

Prefiere un modelo seguido en varios comercios, para comprar en el momento adecuado.

Siga su camino si

Preguntas frecuentes

Respuestas extraídas de la ficha técnica de este modelo.

Oui, ce SSD M.2 au format 2280 (22 x 80 mm) utilise une interface PCI Express 4.0 en NVMe 2.0 et est un composant pour PC.

Oui, il intègre un chiffrement matériel avec l’algorithme 256-bit AES.

Le temps moyen entre pannes est de 1 500 000 heures. Il prend aussi en charge S.M.A.R.T. et TRIM pour le suivi et l’entretien du disque.

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