Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung

Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Name: Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Brand: Samsung

SSD PCIe 5.0 con lectura de 14700 MB/s y 2 TB de V-NAND

Referencia del fabricante MZ-VAP2T0BW

77 /100 Su mejor nota: la mayor capacidad, juzgado «correcta» en la escala de su categoría.

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Lo que vale el Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

El Samsung 9100 PRO 2 TB es un SSD interno en formato M.2 2280, que utiliza la interfaz PCI Express 5.0 en modo x4 con NVMe 2.0. Se basa en memoria V-NAND TLC e incluye cifrado por hardware AES de 256-bit, además de soporte S.M.A.R.T. y TRIM.

Las mediciones del fabricante indican una velocidad de lectura de 14700 MB/s y de escritura de 13400 MB/s, con 1850000 IOPS en lectura aleatoria y 2600000 IOPS en escritura aleatoria. El consumo eléctrico alcanza 8,1 W en lectura y 7,9 W en escritura, con un tiempo medio entre fallos declarado de 1500000 horas y un periodo de garantía de 5 años.

Este SSD está pensado para configuraciones de PC y consolas de videojuegos que buscan una interfaz PCIe 5.0 y una capacidad de 2 TB, para usos que exigen un alto rendimiento e IOPS elevados.

Lo que dice la ficha técnica

2 TB M.2 PCI Express 5.0
Velocidad de lectura: 14700 MB/s 1850000 IOPS
Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS
V-NAND TLC NVMe 2.0
Encriptación de hardware 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
Componente para: PC/Consola de videojuegos

Sus notas, criterio por criterio

Notas sobre 100, calculadas a partir de la ficha técnica y comparadas con el mercado. El método completo es público.

Capacidad Correcta

2.000 GB · mediana de la categoría: 1.000 GB

El historial del precio

10 días de registros desde el 9 de octubre de 2026.

El más bajo registrado: 587,83 €
El más alto registrado: 635,58 €
Último registro: 596,15 €

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Documentos

Lo que el fabricante publica sobre este modelo. Cada documento se abre en una pestaña nueva.

Brochure Samsung MZ-VAP2T0BW PDF 130,4 KB Documento en Français

Características

Características 19

SDD, capacidad 2 TB

Factor de forma de disco SSD M.2

Interfaz PCI Express 5.0

NVMe Si

Tipo de memoria V-NAND TLC

Componente para PC/Consola de videojuegos

Encriptación de hardware Si

Versión NVMe 2.0

Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES

Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)

Velocidad de lectura 14700 MB/s

Velocidad de escritura 13400 MB/s

Lectura aleatoria (4KB) 1850000 IOPS

Escritura aleatoria (4KB) 2600000 IOPS

Carriles datos de interfaz PCI Express x4

Función DevSleep Si

Soporte S.M.A.R.T. Si

Soporte TRIM Si

Tiempo medio entre fallos 1500000 h

Control de energía 7

Voltaje de operación 3,3 V

Consumo de energía (lectura) 8,1 W

Consumo de energía (escritura) 7,9 W

Consumo eléctrico promedio (lectura) 8,1 W

Consumo eléctrico promedio (escritura) 7,9 W

Consumo de energía (espera) 0,005 W

Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 4 mW

Peso y dimensiones 4

Ancho 80,2 mm

Profundidad 2,38 mm

Altura 80,2 mm

Peso 9 g

Empaquetado 1

Peso del paquete 70 g

Otras características 1

Periodo de garantía 5 año(s)

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Preguntas frecuentes

Respuestas extraídas de la ficha técnica de este modelo.

Il utilise une interface PCI Express 5.0 en x4. Il exploite ses vitesses maximales de 14700 Mo/s en lecture et 13400 Mo/s en écriture sur un emplacement compatible PCIe 5.0.

Le temps moyen entre pannes (MTBF) est de 1 500 000 heures. Le produit est couvert par une garantie de 5 ans.

En veille (idle), la consommation est de 0,005 W. En mode DevSlp, elle descend à 4 mW, contre 8,1 W en lecture et 7,9 W en écriture en pleine activité.