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Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB
Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB

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Samsung

Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB

SSD PCIe 5.0 con lettura 14700 MB/s, scrittura 13300 MB/s

Codice produttore MZ-VAP1T0BW

70 /100 Il suo voto migliore: la maggiore capacità, giudicato «corretta» sulla scala della sua categoria.
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Quanto vale il Samsung NVMe 9100 PRO 1 TB

Il Samsung 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD 1 TB è un SSD interno nel formato M.2 2280, dotato di memoria V-NAND TLC e compatibile con NVMe 2.0. Si installa come componente di archiviazione per PC o console di gioco.

Le sue misurazioni indicano una velocità di lettura di 14700 MB/s e di scrittura di 13300 MB/s, con 1850000 IOPS in lettura casuale e 2600000 IOPS in scrittura casuale su interfaccia PCI Express 5.0 x4. Il tempo medio tra i guasti è stimato in 1500000 ore, con cifratura hardware AES a 256 bit e supporto S.M.A.R.T. e TRIM inclusi.

Il consumo elettrico è di 7,6 W in lettura e 7,2 W in scrittura, con una modalità di riposo DevSlp di 3,3 mW e un consumo in idle di 0,004 W. Il prodotto è coperto da 5 anni di garanzia.

Questo SSD è adatto a configurazioni PC o console che richiedono elevate prestazioni di lettura e scrittura, con una capacità di 1 TB in un formato compatto adatto alle schede madri recenti con PCIe 5.0.

Che cosa dice la scheda tecnica

  • 1 TB M.2 PCI Express 5.0
  • Velocità di lettura: 14700 MB/s 1850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Velocità di scrittura: 13300 MB/s 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • criptaggio hardware 256-bit AES
  • Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
  • Componente per: PC/console di gioco

I suoi voti, criterio per criterio

Voti su 100, calcolati dalla scheda tecnica e confrontati con il mercato. Il metodo completo è pubblico.

Capacità Corretta

1.000 GB · mediana della categoria: 1.000 GB

Lo storico del prezzo

11 giorni di rilevazioni dal 3 ottobre 2026.

Il più basso rilevato
239,67 €
Il più alto rilevato
251,14 €
Ultima rilevazione
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Documenti

Ciò che il produttore pubblica su questo modello. Ogni documento si apre in una nuova scheda.

Brochure Samsung MZ-VAP1T0BW PDF 132,0 KB Documento in Français

Caratteristiche

Caratteristiche 19
Capacità SSD 1 TB
Dimensione SSD M.2
Interfaccia PCI Express 5.0
NVMe Sì
Tipo memoria V-NAND TLC
Componente per PC/console di gioco
criptaggio hardware Sì
Versione di NVMe 2.0
Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES
Dimensioni dell'unità SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura 14700 MB/s
Velocità di scrittura 13300 MB/s
Lettura casuale (4KB) 1850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB) 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Linee dati dell'interfaccia PCI Express x4
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) Sì
Supporto S.M.A.R.T. Sì
Supporto TRIM Sì
Tempo medio tra guasti (MTBF) 1500000 h
Gestione energetica 7
Tensione di esercizio 3,3 V
Consumo di energia (in lettura) 7,6 W
Consumo di energia (in scrittura) 7,2 W
Consumo energetico medio (lettura) 7,6 W
Consumo energetico medio (scrittura) 7,2 W
Consumo energetico (inattivo) 0,004 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) 3,3 mW
Dimensioni e peso 4
Larghezza 80,2 mm
Profondità 2,38 mm
Altezza 80,2 mm
Peso 9 g
Altre caratteristiche 1
Durata della garanzia 5 anno/i

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Domande frequenti

Risposte ricavate dalla scheda tecnica di questo modello.

Oui, ce SSD M.2 au format 2280 (22 x 80 mm) est conçu comme composant pour PC ou console de jeux.

Le produit est couvert par une garantie de 5 ans et affiche un temps moyen entre pannes de 1 500 000 heures.

Oui, ce SSD utilise l’interface PCI Express 5.0 en x4 pour atteindre ses vitesses de 14700 Mo/s en lecture et 13300 Mo/s en écriture.

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