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Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Samsung

Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SSD NVMe 4 To con lettura 7250 Mo/s e scrittura 6300 Mo/s

Codice produttore MZ-V9S4T0BW

91 /100 Il suo voto migliore: la maggiore capacità, giudicato «molto grande» sulla scala della sua categoria.
805,99 €
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Quanto vale il Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Il Samsung MZ-V9S4T0 è un SSD interno in formato M.2 2280, con una capacità di 4 To, dotato di memoria V-NAND TLC e interfaccia PCI Express 4.0 compatibile con NVMe 2.0.

Le misurazioni indicano una velocità di lettura di 7250 Mo/s e di scrittura di 6300 Mo/s, con 1050000 IOPS in lettura casuale e 1400000 IOPS in scrittura casuale. Il tempo medio tra i guasti è di 1500000 ore. L’unità include crittografia hardware 256-bit AES oltre al supporto S.M.A.R.T. e TRIM.

Il consumo elettrico varia da 0,06 W a riposo a 5,5 W in lettura, con una modalità di sospensione DevSlp a 5 mW, per un peso di 9 g.

Questo SSD è adatto a configurazioni PC che richiedono grande capacità di archiviazione insieme ad alte velocità di lettura e scrittura.

Che cosa dice la scheda tecnica

  • 4 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Velocità di lettura: 7250 MB/s 1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Velocità di scrittura: 6300 MB/s 1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • criptaggio hardware 256-bit AES
  • Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
  • Componente per: PC

I suoi voti, criterio per criterio

Voti su 100, calcolati dalla scheda tecnica e confrontati con il mercato. Il metodo completo è pubblico.

Capacità Molto grande

4.000 GB · mediana della categoria: 1.000 GB

Lo storico del prezzo

15 giorni di rilevazioni dal 3 ottobre 2026.

Il più basso rilevato
751,99 €
Il più alto rilevato
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Ultima rilevazione
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Documenti

Ciò che il produttore pubblica su questo modello. Ogni documento si apre in una nuova scheda.

Brochure Samsung MZ-V9S4T0BW PDF 130,4 KB Documento in Français

Caratteristiche

Caratteristiche 18
Capacità SSD 4 TB
Dimensione SSD M.2
Interfaccia PCI Express 4.0
NVMe Sì
Tipo memoria V-NAND TLC
Componente per PC
criptaggio hardware Sì
Versione di NVMe 2.0
Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES
Dimensioni dell'unità SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura 7250 MB/s
Velocità di scrittura 6300 MB/s
Lettura casuale (4KB) 1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB) 1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) Sì
Supporto S.M.A.R.T. Sì
Supporto TRIM Sì
Tempo medio tra guasti (MTBF) 1500000 h
Gestione energetica 5
Tensione di esercizio 3,3 V
Consumo di energia (in lettura) 5,5 W
Consumo di energia (in scrittura) 4,8 W
Consumo energetico (inattivo) 0,06 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) 5 mW
Dimensioni e peso 4
Larghezza 80,2 mm
Profondità 2,38 mm
Altezza 80,2 mm
Peso 9 g
Dati su imballaggio 1
Peso dell'imballo 70 g

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Domande frequenti

Risposte ricavate dalla scheda tecnica di questo modello.

Oui, ce SSD M.2 au format 2280 (22 x 80 mm) utilise une interface PCI Express 4.0 en NVMe 2.0 et est un composant pour PC.

Oui, il intègre un chiffrement matériel avec l’algorithme 256-bit AES.

Le temps moyen entre pannes est de 1 500 000 heures. Il prend aussi en charge S.M.A.R.T. et TRIM pour le suivi et l’entretien du disque.

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