Mémoire vive Kingston Technology
Kingston Technology FURY Beast 64 Go 6000 MT/s DDR5 CL30 DIMM (Kits de 2) Black EXPO
Kit 64 Go DDR5 en 6000 MT/s, CL30, sous 1.35 V
SO-DIMM DDR5 16 Go 4800 MT/s, CAS 40, XMP 3.0 pour portable
Référence constructeur KF548S38IB-16
1 marchand
le propose sur ce marché
Le Kingston FURY Impact DDR5 SODIMM est un module de mémoire vive de 16 Go au format 262 broches, destiné aux ordinateurs portables. Il fonctionne en DDR5 à 4800 MT/s, sous une tension de 1.1 V, avec une latence CAS de 40.
Ce module intègre l’On-Die ECC, un profil XMP d’Intel en version 3.0 et un profil SPD, conformes à la norme JEDEC. Son temps de cycle de ligne (TRC) est de 48 ns et son temps de rafraîchissement (TRFC) de 295 ns. Le radiateur assure le refroidissement, pour un poids de 8.4 g (26.72 g avec l’emballage).
Il s’adresse aux utilisateurs d’ordinateurs portables compatibles DDR5 SO-DIMM recherchant un module unique de 16 Go avec profil XMP pour un réglage automatique des performances mémoire.
Ce que dit la fiche technique
Ses notes, critère par critère
Notes sur 100, calculées à partir de la fiche technique et comparées au marché. La méthode complète est publique.
Kalyneo n’affiche un prix que lorsqu’il est relevé automatiquement chez le marchand, avec sa date de relevé. Pour les marchands dont les prix ne sont pas branchés, la fiche renvoie vers le marchand sans afficher de prix. Aucun prix n’est saisi à la main.
Ce que le fabricant publie sur ce modèle. Chaque document s’ouvre dans un nouvel onglet.
C’est pour vous si
Passez votre chemin si
Les réponses tirées de la fiche technique de ce modèle.
Non, ce module est un format 262-pin SO-DIMM, conçu pour un ordinateur portable, pas pour une carte mère de bureau qui utilise des barrettes DIMM classiques.
Le module intègre un profil XMP 3.0 d’Intel ainsi qu’un profil SPD JEDEC, ce qui permet d’atteindre le débit de 4800 MT/s avec une latence CAS de 40 une fois le profil activé.
Le module n’a pas d’ECC classique, mais intègre l’On-Die ECC, une correction d’erreurs directement au niveau de la puce mémoire.
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